艾为电子推出AW135xxTQNR系列射频开关

时间: 2024-04-06 16:46:46 |   作者: 光电sensor

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  链路上对开关的要求也慢慢变得高。AW135xxTQNR系列射频开关采用了国产SOI工艺,具有低插损、高隔离及高功率的特点,适用于HPUE高功率用户设备和5G射频前端。

  接收灵敏度和发射功率是无线设备的两个关键指标:接收灵敏度表征接收机的核心性能,它决定了接收机能否在极弱信号条件下正常运作;而发射功率是发射机性能的关键参数,终端设备(UE)发射的信号需要经过空间的衰落之后才能到达基站,越高的发射功率意味着UE支持越远的通信距离。AW135xxTQNR优秀的低差损性能,使其不仅在下行链路(downlink)能轻松的获得更优的灵敏度,也能在上行链路(uplink)降低功率损耗获得更高的发射功率,满足高性能终端(HPUE)设计需求。

  丰富的端口,以及37dBm高耐压特性使得AW135xxTQNR可当作频段选择开关灵活应用在射频前端的主、分集。

  AW135XxxQNR支持MIPI2 RFFE V.1,协议其每条通路的开启和关断都是由寄存器单独的比特独位立控制的MIPI2 V.1的寄存器屏蔽写特性可以使每条通路的开启和关断不影响其它通路的状态。因此AW135XxxQNR能应用CA、NDC场等复杂景。利终端开发者用LC搭建低通和高通滤波电路,得到合适的“diplexer”电路,从而实可以现开关的双开应用。

  除了应用在传统的收射频前端统,AW135XxxQNR还能应用于蓝牙AOA定位系统,极快的切换时间使得AW135XxxQNR可以轻松应对定位基站需要多天线切换的需求。

  在电子设备的制造、测试和维护过程中,静电常常是一个不可避免的问题。由于电子设备中的电子元件和电路板非常敏感,即使是微小的静电电荷也有一定可能会损坏它们。因此,防静电管理系统很重要。AW135XxxQNR优秀的抗静电性能,能够大大减少设备的损坏,以此来降低生产所带来的成本和维修成本。 AW135XxxQNR的静电能力

  AW135XXTQNR系列有着非常丰富的射频端口,高达37dBm的功率容量,0.75μs切换时间等一系列优秀的性能指标。这些优秀的性能使其在应用场景中可以灵活选择,在传统射频收发统中,其低插损除了能获得更好的灵敏度以外还能降低发射功率的损耗获得更大的发射功率。除此外,丰富的端口和极快的切换时间使AW135XxxQNR能应用在对时间切换要求更严格的定位模块中。

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